GaNテクノロジー

GaNテクノロジー

GaNは、シリコン（Si）に比べてスイッチングが100倍高速でパフォーマンスが20倍向上した新世代の「ワイドバンドギャップ」半導体材料です。 GaNベースのパワーアンプは、パワーアンプの競争相手になる可能性があります。

シリコン（Si）は、その材料特性について入手可能な処理の容易さ、入手可能性、および豊富な情報により、長い間、パワーデバイスの選択材料でした。 しかし、Siデバイスは、固有の材料特性によって設定された動作限界に達しています。 このため、パワー半導体の新素材を評価する必要があります。