GaN տեխնոլոգիա
GaN- ը «լայն Bandgap» կիսահաղորդչային նյութի նոր սերունդ է, որն ունի 100x ավելի արագ միացում և 20x բարելավված կատարում, քան Silicon- ը (Si): GaN- ի վրա հիմնված էներգիայի ուժեղացուցիչը կարող է լինել ուժեղացման մրցակցային թեկնածուներ:
Silicone- ը (Si) երկար ժամանակ հանդիսանում է ընտրական միջոցների նյութը `մշակման հեշտության, մատչելիության և իր նյութական պատկանելիության վերաբերյալ տեղեկատվության մատչելիության շնորհիվ: Սի սարքերը, սակայն, հասնում են իրենց գործառնական սահմաններին, որոնք սահմանված են ներքին նյութական հատկություններով: Դրանից ելնելով, պետք է գնահատվեն էլեկտրական կիսահաղորդիչների նոր նյութեր:
Post time: Nov-08-2019