GAN Technology
GAN ass eng nei Generatioun vun "breet bandgap" semiconductor Material mat 100x méi séier wiesselen an 20x verbessert performant wéi Silicon (Si). GAN baséiert Muecht amplifier ka kompetitiv Kandidaten an Muecht amplification ginn.
Kachläffel (Si) huet fir laang Zäit, wéinst der Material vun presentéiert Centr rpower Apparater goufen vun Veraarbechtung, avaiability a Räichtum vun Informatioune sinn iwwer hir Material propertities kamoud. Si Apparater sinn Erréchen Ee hir operationell Grenzen Formatioun duerch direkt Ausriichtung Material Eegeschafte. Am Liicht vun dëser, neit Material fir Muecht semiconductors muss bewäert ginn.
Post Zäit: Nov-08-2019