GaN-technologie
GaN is een nieuwe generatie halfgeleidermateriaal met 'wide bandgap' met 100x snellere schakeling en 20x verbeterde prestaties dan Silicon (Si). Op GaN gebaseerde eindversterker kunnen concurrerende kandidaten zijn voor vermogensversterking.
Siliconen (Si) is lange tijd het materiaal bij uitstek geweest voor stroomtoestellen, vanwege het gemak van verwerking, de beschikbaarheid en de schat aan informatie die beschikbaar is over de materiële eigenschappen ervan. Si-apparaten bereiken echter hun operationele limieten bepaald door intrinsieke materiaaleigenschappen. In het licht hiervan moeten nieuwe materialen voor vermogenshalfgeleiders worden geëvalueerd.
Post tijd: 8 november 2019