Технология GaN
GaN - это новое поколение полупроводниковых материалов с «широкой запрещенной зоной», скорость переключения в 100 раз выше, а производительность в 20 раз выше, чем у кремния (Si). Усилитель мощности на основе GaN может быть конкурентным кандидатом в усилении мощности.
Силикон (Si) долгое время был предпочтительным материалом для устройств питания благодаря простоте обработки, доступности и большому количеству информации о свойствах его материала. Устройства Si, однако, достигают своих эксплуатационных пределов, установленных собственными свойствами материала. В свете этого необходимо оценить новые материалы для силовых полупроводников.
Время публикации: ноябрь-08-2019